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分立半导体
STGWT40H60DLFB参考图片

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STGWT40H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:13,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
10,000:查看
参考库存:9719
分立半导体
MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
1:¥22.826
10:¥18.3625
100:¥16.6788
250:¥15.0629
2,500:¥10.8367
5,000:查看
参考库存:7200
分立半导体
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.5098
参考库存:5947
分立半导体
整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:10721
分立半导体
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
2,500:¥5.8986
参考库存:4739
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