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分立半导体
STGWT40H60DLFB参考图片

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STGWT40H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:13,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥12.2944
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100:¥7.91
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1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.32318
24,000:查看
参考库存:19114
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稳压二极管 500mW 9.7V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
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1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:19119
分立半导体
稳压二极管 2W,15V,ZENER,SMB Package
3,000:¥1.06785
6,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.86106
参考库存:19122
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