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分立半导体
SI3590DV-T1-E3参考图片

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SI3590DV-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
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库存:11,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.7234
47.234
100
¥3.5821
358.21
500
¥2.9606
1480.3
1,000
¥2.3617
2361.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.5 A, 1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms, 170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3 nC, 3.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.83 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S, 5 S
下降时间
7 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
SI3590DV-T1
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SI3590DV-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 4.3V .5W
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥1.1413
1,000:¥0.84524
10,000:¥0.66105
20,000:查看
参考库存:16048
分立半导体
稳压二极管 500mW ZENER
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:4716
分立半导体
MOSFET 500V, 5Amp, 1,38ohm N channel Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥3.4126
2,500:¥2.4069
5,000:查看
参考库存:6684
分立半导体
桥式整流器 800V 6A Bridge Rectifier
1:¥12.1362
10:¥10.6785
25:¥9.6841
100:¥8.4524
参考库存:4716
分立半导体
整流器 200V 1A SUPER FAST
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3956
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5255
参考库存:5862
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