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分立半导体
SSM6K781G,LF参考图片

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SSM6K781G,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.921
192.1
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WCSP6C-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
14.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.5 mm
系列
SSM6K
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.400 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6K781G,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C18P-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.8984
500:¥1.5594
3,000:¥1.09836
6,000:查看
参考库存:27912
SQD07N25-350H_GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥4.6443
4,000:查看
参考库存:7429
SUP90220E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥20.5886
10:¥17.1308
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5397
CSD18513Q5A
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 40V N CH MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9947
100:¥5.3901
500:¥4.7686
2,500:¥3.3335
10,000:查看
参考库存:4783
NTMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4127
1,500:¥3.7855
9,000:查看
参考库存:6697
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