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分立半导体
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IHW30N160R2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N160R2FKSA1 IHW3N16R2XK SP000273701
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IHW30N160R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TLZ4V7-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.5 Watt IR = 10uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:52775
BZM55C7V5-TR3
Vishay Semiconductors
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稳压二极管 7.5 Volt 0.5W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:14991
BZX384C7V5-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
10,000:¥0.28476
20,000:查看
参考库存:52780
TLZ9V1A-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:52783
MMSZ5258B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:52786
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