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分立半导体
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FQP30N06

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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2884
2644.2
1,000
¥4.1697
4169.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP30N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FQP30N06_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP30N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
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5,000:¥3.7064
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800:¥18.7467
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1:¥3.9211
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1,500:¥1.1865
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1:¥6.3732
10:¥5.3449
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1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
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1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:10161
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