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分立半导体
BSP603S2L参考图片

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BSP603S2L

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 55V 5.2A SOT-223-3 OptiMOS
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3392
2169.6
4,000
¥3.0397
12158.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
5.2 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
16 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
10.8 ns
零件号别名
BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP603S2L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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