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分立半导体
DN3545N3-G参考图片

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DN3545N3-G

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库存:1,556(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥5.2206
52.206
25
¥4.4296
110.74
100
¥4.0341
403.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
136 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,DN3545N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6218
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:6333
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1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.4468
500:¥8.2942
3,000:¥6.3506
6,000:查看
参考库存:4217
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1:¥11,753.9097
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1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
参考库存:9017
分立半导体
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1:¥172.89
100:¥144.075
500:¥123.4864
参考库存:4292
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