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分立半导体
TPN22006NH,LQ参考图片

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TPN22006NH,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.2939
6881.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
Pd-功率耗散
18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN22006NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,TPN22006NH,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 1.0W 5%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,500:¥1.7854
4,500:查看
参考库存:3870
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20volt 2.0amp
1:¥4.068
10:¥2.8137
100:¥1.8984
500:¥1.5255
3,000:¥1.05316
6,000:查看
参考库存:5972
分立半导体
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:6386
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Volt 200mA Single
1:¥2.9945
10:¥1.7176
100:¥0.92208
500:¥0.73789
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:11969
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
参考库存:3885
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