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分立半导体
IRLS3036TRL7PP参考图片

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IRLS3036TRL7PP

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
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数量单价合计
1
¥26.2047
26.2047
10
¥22.2836
222.836
100
¥19.2891
1928.91
250
¥18.3625
4590.625
800
¥13.8312
11064.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
380 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
390 S
下降时间
170 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
540 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001574154
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRLS3036TRL7PP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:2484
JANTX1N821-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥60.4776
10:¥54.3982
25:¥49.5618
100:¥44.7932
参考库存:2569
ND104N12K
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 160A
1:¥734.8955
5:¥721.3694
10:¥688.9497
25:¥665.9768
参考库存:2336
FS15R06VE3_B2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥155.2959
10:¥142.7642
25:¥136.8543
100:¥120.5597
参考库存:2386
TD142N16KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1600V 230A
1:¥940.7476
5:¥922.2382
10:¥879.2756
25:¥860.834
参考库存:2344
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