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分立半导体
TSM60NB041PW C1G参考图片

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TSM60NB041PW C1G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 78A
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数量单价合计
1
¥106.0392
106.0392
10
¥96.5924
965.924
25
¥92.2871
2307.1775
50
¥87.2134
4360.67
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
78 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
139 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
148 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
152 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
445 ns
典型接通延迟时间
107 ns
商品其它信息
优势价格，TSM60NB041PW C1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5369/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:37154
UPP1002/TR7
Microsemi
分立半导体
PIN 二极管 PIN Diode
3,000:¥44.4881
参考库存:37157
JANTX1N5532BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥145.996
200:¥134.0067
500:¥127.5544
参考库存:37160
CDLL4109D/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥72.9189
200:¥66.4666
500:¥62.2404
1,000:¥57.0876
参考库存:37163
1N3045BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥111.5762
250:¥101.7339
500:¥95.2025
1,000:¥87.2925
参考库存:37166
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