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分立半导体
NGTB40N120FL2WAG参考图片

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NGTB40N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
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库存:8,048(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.2619
40.2619
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.6625
2966.25
250
¥28.1257
7031.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
高度
21 mm
长度
16.13 mm
工作温度范围
- 55 c to + 175 C
宽度
5.21 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120FL2WAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥6.4523
10:¥5.198
3,000:¥5.198
参考库存:16566
分立半导体
PIN 二极管 Vr 100 Vdc Max 1.5pF Rs= .75 Ohms Max.
1:¥81.6764
10:¥63.6981
25:¥57.1667
100:¥50.6353
1,000:¥42.488
2,000:查看
参考库存:4138
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:53195
分立半导体
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
1,000:¥23.6622
2,000:查看
参考库存:4293
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
1:¥4.6104
10:¥3.8646
100:¥2.3617
1,000:¥1.8193
4,000:¥1.5481
参考库存:13856
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