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分立半导体
AUIRF1404ZS参考图片

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AUIRF1404ZS

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.5205
3630.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
170 S
下降时间
58 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001515848
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRF1404ZS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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