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分立半导体
NVTFS6H850NTAG参考图片

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NVTFS6H850NTAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3392
2169.6
1,500
¥3.0397
4559.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVTFS6H850N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
63 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，NVTFS6H850NTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R17ME3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 375A
10:¥1,288.4486
30:¥1,270.3912
参考库存:35185
BZX84C7V5
Rectron
分立半导体
稳压二极管 7.5V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35188
IRGS6B60KTRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 7AD2PAK
800:¥8.1473
2,400:¥7.571
4,800:¥7.2885
9,600:¥7.0173
参考库存:35191
BZX84C8V2
Rectron
分立半导体
稳压二极管 8.2V SOT23 300mW Zen er
15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
参考库存:35194
RF201L2STE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
整流器 DIODE FAST REVERY 200V 2A
1,500:¥1.1978
参考库存:35197
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