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分立半导体
FCH041N60E参考图片

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FCH041N60E

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库存:4,025(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.6247
64.6247
10
¥58.3984
583.984
25
¥55.6299
1390.7475
100
¥48.3301
4833.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
77 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
285 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
592 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH041N60E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
71 S
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
320 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FCH041N60E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:10092
分立半导体
MOSFET NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:7104
分立半导体
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥133.5434
10:¥122.7858
25:¥117.7234
100:¥103.6549
参考库存:4256
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:40166
分立半导体
整流器 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated
1:¥3.616
10:¥2.0679
100:¥1.2091
500:¥0.97632
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:15713
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