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分立半导体

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FF200R17KE3

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数量单价合计
1
¥1,056.776
1056.776
5
¥1,036.0292
5180.146
10
¥987.6991
9876.991
25
¥967.0314
24175.785
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
390 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R17KE3HOSA1 SP000100775
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格,FF200R17KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Hi Conductance Fast
1:¥0.7684
10:¥0.46104
100:¥0.16159
1,000:¥0.10735
10,000:¥0.07684
20,000:查看
参考库存:41775
分立半导体
PIN 二极管 50V 50mA Single
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:9857
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
参考库存:3008
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 60V/1.3A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:4258
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:4470
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