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分立半导体
PD55025S-E参考图片

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PD55025S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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数量单价合计
1
¥167.6694
167.6694
10
¥162.9008
1629.008
100
¥149.9962
14999.62
250
¥143.4648
35866.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55025S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Ultrafast rectifier 5A / 600V / 20ns
1:¥7.91
10:¥7.2207
100:¥5.5822
500:¥4.1358
800:¥3.0623
2,400:¥2.9945
参考库存:20339
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A,45V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥11.752
10:¥10.4525
25:¥9.4468
100:¥8.2942
800:¥5.0624
2,400:查看
参考库存:20342
分立半导体
稳压二极管 Earth Leakage Detector ICs
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:20345
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,40V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.3733
10:¥7.458
25:¥6.6896
100:¥5.8647
800:¥3.5934
2,400:查看
参考库存:5551
分立半导体
整流器 6A,50V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥6.6105
10:¥6.0681
100:¥4.6782
500:¥3.4691
1,000:¥2.5651
2,000:¥2.5086
参考库存:20350
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