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分立半导体
IHW30N120R3参考图片

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IHW30N120R3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
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库存:2,805(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.1092
37.1092
10
¥31.5044
315.044
100
¥27.2782
2727.82
250
¥25.8996
6474.9
500
¥23.2102
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N120R3FKSA1 SP000999768
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IHW30N120R3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N-Ch -50Vbr -4.2Vgs 50mA 250mW
1:¥29.1201
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:2968
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.6614
500:¥6.5879
1,000:¥5.7743
4,500:¥5.7743
参考库存:7058
分立半导体
MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:24297
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
1:¥3.1527
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
9,000:¥0.791
参考库存:5055
分立半导体
MOSFET Small reel verison
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:5365
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