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分立半导体
SI5908DC-T1-GE3参考图片

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SI5908DC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
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库存:6,713(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.7913
679.13
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.9 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI5
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,SI5908DC-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:2713
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1258
250:¥28.589
450:¥25.6623
参考库存:14653
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
1:¥3.5369
10:¥2.4069
100:¥1.6272
500:¥1.3108
7,500:¥0.84524
参考库存:10081
分立半导体
桥式整流器 1A,1000V
1:¥4.2262
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.5255
1,500:¥0.95259
9,000:查看
参考库存:7034
分立半导体
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOST
1:¥51.7088
10:¥46.7142
25:¥44.5672
100:¥38.646
800:¥33.6514
参考库存:3370
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