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分立半导体
FCB260N65S3参考图片

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FCB260N65S3

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
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库存:3,728(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
800
¥7.2885
5830.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SuperFET3
晶体管类型
1 N-Channel SuperFET III MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,FCB260N65S3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 30-34V 10mA SOD-123FL; PMDU
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:5145
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1,500:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3617
参考库存:46115
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:11650
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:11702
分立半导体
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3154
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