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产品分类

分立半导体
SIS890DN-T1-GE3参考图片

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SIS890DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:15,791(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.9212
2960.6
3,000
¥5.9212
17763.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SIS890DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SIS890DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥3.5708
1,000:¥2.8589
2,500:¥2.5877
参考库存:7412
分立半导体
整流器 DIODE 50V 2A DO-214AC
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
5,000:¥0.69156
10,000:查看
参考库存:8787
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SMB 2A 60V SMD Shtky
1:¥8.0682
10:¥6.5879
100:¥5.4805
500:¥4.2375
3,000:¥3.39
9,000:查看
参考库存:4819
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 200mA 200V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:7892
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 500mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:10607
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