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分立半导体
STGW35NB60SD参考图片

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STGW35NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V
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数量单价合计
1
¥42.6462
42.6462
10
¥36.273
362.73
100
¥31.4253
3142.53
250
¥29.8094
7452.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW35NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW35NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKZ50N65NH5XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥51.0986
10:¥46.1831
25:¥44.0248
100:¥38.2618
参考库存:3862
MMSZ5246B-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.5W 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3786
100:¥0.58421
500:¥0.48364
3,000:¥0.27685
6,000:查看
参考库存:41711
MA4E1319-1
MACOM
分立半导体
肖特基二极管与整流器
100:¥21.5152
200:¥18.7467
参考库存:4447
CMSH2-100 TR13
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100Vrrm 100Vr 70Vrms 2.0A 50Ifsm
1:¥6.1472
10:¥4.9946
100:¥4.1584
500:¥3.2092
3,000:¥2.5764
9,000:查看
参考库存:6665
APT50M85JVR
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥381.9739
5:¥369.1371
10:¥357.1478
25:¥330.2538
参考库存:3716
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