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分立半导体
2SK2145-Y(TE85L,F)参考图片

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2SK2145-Y(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
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库存:12,915(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.1245
41.245
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥1.7967
5390.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
JFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMV-5
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 30 V
Vgs=0时的漏-源电流
1.2 mA
Id-连续漏极电流
14 mA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
2SK2145
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
JFET
商标
Toshiba
闸/源截止电压
- 1.5 V
工厂包装数量
3000
商品其它信息
优势价格,2SK2145-Y(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:4316
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 300mW
1:¥5.9212
10:¥5.1189
100:¥3.5482
1,000:¥2.6442
参考库存:6587
分立半导体
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:7596
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4906
分立半导体
IGBT 模块
1:¥5,297.2705
5:¥5,212.5996
参考库存:3963
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