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分立半导体
IRFR540ZTRPBF参考图片

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IRFR540ZTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
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数量单价合计
1
¥7.8422
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10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.5652
2282.6
1,000
¥3.6047
3604.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
28.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
91 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001578120
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR540ZTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
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