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分立半导体
NGTB35N65FL2WG参考图片

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NGTB35N65FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/35A FAST IGBT FSII T
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库存:3,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.826
22.826
10
¥19.3682
193.682
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB35N65FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
1:¥67.3932
10:¥60.8618
25:¥58.0933
100:¥50.4093
参考库存:9070
分立半导体
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:17403
分立半导体
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:58571
分立半导体
整流器 Diode, 1 Amp
1:¥11.6842
5:¥11.3678
10:¥11.30
25:¥10.6785
50:¥10.2943
参考库存:3461
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
参考库存:13281
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