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分立半导体
IRF7509TRPBF参考图片

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IRF7509TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1697
41.697
100
¥2.6894
268.94
1,000
¥2.147
2147
4,000
¥1.8193
7277.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Micro-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.7 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.8 nC, 7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.11 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
1.9 S, 0.92 S
下降时间
5.3 ns, 9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns, 9.7 ns
零件号别名
SP001570444
单位重量
25.540 mg
商品其它信息
优势价格，IRF7509TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS86310
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:4806
F3L300R12ME4_B23
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:1818
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:5742
PMEG3002TV,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
4,000:¥0.61472
参考库存:43915
IHW50N65R5
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
500:¥22.6678
参考库存:2302
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