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分立半导体
APT40GT60BRG参考图片

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APT40GT60BRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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库存:2,500(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥75.3032
75.3032
10
¥67.7774
677.774
25
¥61.698
1542.45
50
¥57.4718
2873.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
345 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT40GT60BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
1:¥16.1364
10:¥13.7521
100:¥10.9836
500:¥9.605
1,500:¥7.4354
4,500:查看
参考库存:3537
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 1A 60V
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥1.05316
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.60681
参考库存:7979
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3136
分立半导体
整流器 Ultra Fast 50V 1A
1:¥4.0002
10:¥2.2148
100:¥1.1865
500:¥0.95259
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:6843
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:7253
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