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分立半导体
TK100S04N1L,LQ参考图片

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TK100S04N1L,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
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数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
2,000
¥8.6106
17221.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK100S04N1L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK100S04N1L,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTMC120HR11CT3AG
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Vishay Semiconductors
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25,000:¥1.3334
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100:¥905.7176
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