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分立半导体
TK9J90E,S1E参考图片

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TK9J90E,S1E

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
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库存：4,200(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.4306
24.4306
10
¥19.6733
196.733
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.1364
4034.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P(N)-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
46 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK9J90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，TK9J90E,S1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C22P-E3-18
Vishay Semiconductors
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