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分立半导体
FDD6N50FTM参考图片

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FDD6N50FTM

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库存:4,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
2,500
¥3.6612
9153
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N50F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.4 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD6N50FTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.04525
参考库存:8537
分立半导体
整流器 HED trrmax=35ns 1A VRRM=200V
1:¥4.6895
10:¥3.6951
100:¥2.5312
500:¥1.7402
3,000:¥1.1639
6,000:查看
参考库存:48817
分立半导体
MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
4,800:¥7.7631
9,600:查看
参考库存:18415
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:5684
分立半导体
MOSFET -60V -15.5A P-Channel
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9719
2,500:¥2.5086
参考库存:25931
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