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分立半导体
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FDP52N20

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数量单价合计
1
¥17.8314
17.8314
10
¥15.142
151.42
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.5994
5299.7
1,000
¥8.8366
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP52N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
175 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
53 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP52N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
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1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
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分立半导体
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4092
分立半导体
稳压二极管 7.5V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:5565
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥34.578
10:¥29.3574
100:¥25.4363
250:¥24.1255
500:¥21.6734
参考库存:3756
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