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分立半导体

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	700
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1112MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	120 @ 1mA @ 5V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1112MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BYW83-TR	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM	1:¥7.1416 10:¥5.876 100:¥4.4974 500:¥3.8759 2,500:¥2.8476 5,000:查看	参考库存:33670
NRVHP620MFDT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 PUF 3A 200V IN SO-8F	1:¥6.6896 10:¥5.5935 100:¥3.616 1,000:¥2.8928 5,000:¥2.4408	参考库存:33673
MPG06K-E3/73	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 800 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM	3,000:¥0.82942 9,000:¥0.82942 24,000:¥0.76049	参考库存:33676
DMP1011LFV-13	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V	1:¥5.1528 10:¥4.3166 100:¥2.7911 1,000:¥2.2374 3,000:¥2.2374	参考库存:33679
1PMT4118E3/TR7	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	1:¥4.8364 10:¥3.6047 100:¥2.2713 1,000:¥1.695 3,000:¥1.4464	参考库存:33682