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分立半导体
TK16N60W,S1VF参考图片

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TK16N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK16N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK16N60W,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZV85-C56,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
5,000:¥0.33787
参考库存:10013
BD681STU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9436
参考库存:6840
APT30S20BCTG
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Center Tap RECTIFIER
1:¥47.7199
10:¥38.3409
25:¥37.6516
100:¥34.9622
参考库存:3140
PMXB43UNEZ
Nexperia
分立半导体
MOSFET 20 V, N-channel Trench MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
5,000:¥1.03734
参考库存:10751
1N5357BG
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 20V 5W
1:¥3.3787
10:¥2.5425
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
参考库存:6056
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