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分立半导体
IRFSL4127PBF参考图片

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IRFSL4127PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
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数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥31.8886
318.886
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2047
6551.175
500
¥23.5153
11757.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
79 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001557538
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IRFSL4127PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥7.3563
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100:¥1.4012
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3,000:¥0.72207
9,000:查看
参考库存:7673
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