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分立半导体
TSM4NB65CI C0G参考图片

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TSM4NB65CI C0G

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库存:31,771(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥3.1979
12791.6
5,000
¥3.0397
15198.5
10,000
¥2.9719
29719
25,000
¥2.9154
72885
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.46 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
优势价格,TSM4NB65CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1,700:¥1.5142
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12,000:¥0.53788
24,000:¥0.49946
45,000:¥0.44522
99,000:¥0.43053
参考库存:33037
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1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
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参考库存:33040
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3,000:¥1.6272
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15,000:¥0.50737
22,500:¥0.45313
45,000:¥0.4068
97,500:¥0.37629
参考库存:33046
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