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分立半导体
TK10A80W,S4X参考图片

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TK10A80W,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
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数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥17.6732
176.732
100
¥16.1364
1613.64
250
¥14.5205
3630.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220SIS-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK10A80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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