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分立半导体
IPW65R070C6FKSA1参考图片

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IPW65R070C6FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥73.224
73.224
10
¥66.1615
661.615
25
¥63.0879
1577.1975
100
¥54.7824
5478.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
53.5 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
391 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPW65R070C6 IPW65R7C6XK SP000745034
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R070C6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
81CNQ035A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 80 Amp 35 Volt Common Cathode
200:¥87.1343
600:¥81.5295
1,000:¥74.8399
参考库存:26732
BCW67BE6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:26735
CDLL4486/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥84.6031
10:¥76.84
25:¥71.1561
50:¥67.3141
100:¥65.3931
参考库存:26738
2N335A
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥508.1384
2:¥498.8498
5:¥493.1546
10:¥478.2499
参考库存:26741
1N5955A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
278:¥25.6623
500:¥22.9729
1,000:¥19.3682
2,500:¥18.4416
参考库存:26744
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