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分立半导体
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IPP65R095C7

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数量单价合计
1
¥41.2676
41.2676
10
¥35.1204
351.204
100
¥30.4309
3043.09
250
¥28.8941
7223.525
500
¥25.8996
12949.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
128 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP65R095C7XKSA1 SP001080122
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R095C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
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