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分立半导体
SSM6N35AFE,LF参考图片

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SSM6N35AFE,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
4,000
¥0.49946
1997.84
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms, 750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
340 pC, 340 pC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SSM6N35AFE
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.5 S, 0.5 S
下降时间
5.5 ns, 5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 2 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns, 6.5 ns
典型接通延迟时间
2 ns, 2 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6N35AFE,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-SD703C20S20L
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2000 Volt 700 Amp
1:¥831.7139
5:¥805.9725
10:¥779.70
25:¥753.7213
参考库存:28839
DZ4J075K0R
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分立半导体
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暂无价格
参考库存:28842
DMC964060R
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8,000:¥1.5707
参考库存:28845
VS-16RIA10
Vishay Semiconductors
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100:¥66.3875
200:¥60.5454
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1,000:¥51.9461
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1N6677UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
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100:¥65.8564
200:¥60.0934
500:¥56.1723
1,000:¥51.5619
参考库存:28851
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