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分立半导体
STGWT30H60DFB参考图片

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STGWT30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30H60DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.35Watt 2% AUTO
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
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3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:14905
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双极晶体管 - 预偏置 PUMH13/SC-88/REEL 13" Q1/T1 *S
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
2,500:¥0.3842
10,000:¥0.32996
参考库存:13061
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.791
1,000:¥0.53788
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:11803
分立半导体
稳压二极管 200mW 12V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:12043
分立半导体
整流器 100 Volt 8.0A 35ns 125 Amp IFSM
1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
参考库存:3967
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