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分立半导体
SSM3J35AFS,LF参考图片

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SSM3J35AFS,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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数量单价合计
1
¥2.0792
2.0792
10
¥1.356
13.56
100
¥0.56839
56.839
1,000
¥0.3842
384.2
3,000
¥0.29154
874.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
430 mS
下降时间
145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
420 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
2.400 mg
商品其它信息
优势价格，SSM3J35AFS,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS205NH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:16066
NTMFS4946NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥6.4523
10:¥5.5483
100:¥4.2601
500:¥3.7629
1,500:¥2.6329
9,000:查看
参考库存:5629
SIHG22N50D-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥33.8096
10:¥30.1258
100:¥24.747
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:4524
BZX85B68-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 1.3 Watt 2%
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
5,000:¥0.47686
10,000:查看
参考库存:17149
SD103AWS-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5uA 40Volt 15A IFSM
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:9739
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