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分立半导体
BSZ120P03NS3GATMA1参考图片

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BSZ120P03NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
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库存:11,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥1.8871
9435.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
BSZ120P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSZ120P03NS3 BSZ12P3NS3GXT G SP000709736
单位重量
39.800 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ120P03NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 10A 150V 25ns Dual
1:¥9.9101
10:¥8.2264
100:¥6.2602
500:¥5.3901
800:¥4.7234
参考库存:36560
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:8917
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 200V SCHOTTKY
1:¥6.6105
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
2,500:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:36565
分立半导体
稳压二极管 91 Volt 1.0W 10%
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,500:¥1.6724
4,500:查看
参考库存:36568
分立半导体
整流器 50 Volt 8.0A 35ns Single
1:¥10.2943
10:¥8.5315
100:¥6.5088
500:¥5.5935
1,000:¥4.9155
参考库存:36571
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