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分立半导体
BSZ120P03NS3GATMA1参考图片

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BSZ120P03NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
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库存:11,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥1.8871
9435.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
BSZ120P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSZ120P03NS3 BSZ12P3NS3GXT G SP000709736
单位重量
39.800 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ120P03NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 800Vrm 100 Ifsm 3.0A 1.7Vf 5.0uA 800Vr
1:¥4.6104
10:¥2.6555
100:¥1.5481
500:¥1.2656
1,200:¥0.96841
参考库存:2234
分立半导体
整流器 2A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥3.4578
100:¥2.3843
500:¥1.3334
850:¥1.1978
参考库存:3586
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 160V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:12345
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz
1:¥24.5097
10:¥20.8259
100:¥18.0574
250:¥17.1308
参考库存:1475
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 10.45V to 11.55V
1:¥5.1528
10:¥4.407
100:¥3.0623
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.921
参考库存:3128
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