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分立半导体
TK12E80W,S1X参考图片

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TK12E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
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数量单价合计
1
¥25.4363
25.4363
10
¥20.4417
204.417
100
¥18.5998
1859.98
250
¥16.8257
4206.425
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK12E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TK12E80W,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N746A-1/TR
Microsemi
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稳压二极管
100:¥28.0466
254:¥28.0466
500:¥25.199
1,000:¥21.2101
2,500:¥20.2044
参考库存:51106
SMBJ4758C/TR13
Microsemi
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3,000:¥5.989
6,000:¥5.7743
9,000:¥5.3449
参考库存:51109
1N5942D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
114:¥62.6246
250:¥57.5509
500:¥52.4094
1,000:¥45.7198
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113CNQ100ASM
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400:¥97.5868
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EDB106S-T
Rectron
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桥式整流器 1A 400V 50ns SM GP
2,000:¥3.8533
3,000:¥3.1301
4,000:¥2.3278
参考库存:51118
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