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分立半导体
DMN62D1LFDQ-13参考图片

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DMN62D1LFDQ-13

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库存:27,378(价格仅供参考)
数量单价合计
10,000
¥0.63732
6373.2
20,000
¥0.59212
11842.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
0.55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
2.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN62D1LFDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCHING DIODE 75 V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:10887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥277.0082
5:¥264.5556
10:¥256.2614
25:¥235.5146
参考库存:4899
分立半导体
肖特基二极管与整流器 WL CSP Low VF 40V Schottky Diode
1:¥4.0002
10:¥2.8476
100:¥1.8645
500:¥1.10627
1,000:¥0.62263
参考库存:29416
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥401.489
5:¥389.3528
10:¥377.8946
25:¥354.3115
参考库存:4941
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V, 8 A 2-lead SiC
1:¥40.1828
10:¥32.2728
100:¥29.4252
250:¥26.5889
参考库存:5417
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