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分立半导体
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MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
优势价格，MHT1108NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
V8P15HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
13,000:¥1.8532
19,500:¥1.7854
参考库存:34690
BZD27C11P-M3-18
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分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
50,000:¥0.99101
参考库存:34693
BZD27B51P-HE3-18
Vishay Semiconductors
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50,000:¥0.7684
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1PMT5943BE3/TR13
Microsemi
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12,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:34699
BZW03D150-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 150 Volt 20W 10%
12,500:¥3.9437
参考库存:34702
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