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分立半导体
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STGB30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1,700:¥1.5142
4,250:¥1.4577
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分立半导体
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12,000:¥0.53788
24,000:¥0.49946
45,000:¥0.44522
99,000:¥0.43053
参考库存:33037
分立半导体
桥式整流器 10A, 800V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:33040
分立半导体
桥式整流器 1.5A,50V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
3,000:¥1.6272
参考库存:33043
分立半导体
整流器 1.5A, 100V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
15,000:¥0.50737
22,500:¥0.45313
45,000:¥0.4068
97,500:¥0.37629
参考库存:33046
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