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射频晶体管
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SD4931

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
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614.72
5
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10
¥576.30
5763
25
¥557.09
13927.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
14.8 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
250 MHz
系列
SD4931
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
4 S
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD4931的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
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1:¥571.5314
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1:¥1,035.3399
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10:¥967.6416
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100:¥899.9546
150:¥837.1718
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100:¥111.3389
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50:¥1,159.2105
参考库存:17372
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