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射频晶体管
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STAC0912-250

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 960-1215 MHz LDMOS TRANSISTOR
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15
¥1,219.2926
18289.389
30
¥1,202.2409
36067.227
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
16 dB
输出功率
285 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
960 MHz to 1215 MHz
系列
STAC0912-250
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
928 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,STAC0912-250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥740.3534
2:¥717.3805
5:¥717.1432
10:¥694.0234
参考库存:1120
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15844
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:4074
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:7670
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2001N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥456.2036
参考库存:14617
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