您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
SD4933MR参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SD4933MR

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,818(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,081.6021
1081.6021
5
¥1,060.392
5301.96
10
¥1,010.9884
10109.884
25
¥989.6992
24742.48
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
24 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M177MR-5
封装
Tray
配置
Triple
工作频率
100 MHz
系列
SD4933MR
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
商品其它信息
优势价格,SD4933MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,349.8528
参考库存:15139
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥371.6005
参考库存:15142
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:1646
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW
1:¥5.6839
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.9097
参考库存:15147
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:15150
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们