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射频晶体管
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MRF134

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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数量单价合计
1
¥241.8878
241.8878
10
¥223.6835
2236.835
25
¥214.6096
5365.24
50
¥205.547
10277.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11 dB
输出功率
5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF141
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:3821
MMRF1009HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:17249
AFT20P140-4WNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
1:¥599.7362
5:¥582.289
10:¥569.7686
25:¥545.8691
250:¥484.0129
参考库存:17252
NESG2101M05-EVPW24-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator
暂无价格
参考库存:17255
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW
3,000:¥2.0792
9,000:¥2.0001
24,000:¥1.921
45,000:¥1.8984
参考库存:17258
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