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射频晶体管

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MAPRST1214-6UF

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 6W Gain: 8.75dB
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数量单价合计
11
¥1,543.6365
16980.0015
25
¥1,488.0066
37200.165
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
技术
Si
晶体管极性
NPN
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
输出功率
6 W
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MAPRST1214-6UF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥45.4147
10:¥37.1883
25:¥33.0412
50:¥29.7416
参考库存:3408
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:16805
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V
1:¥259.335
25:¥233.4354
100:¥210.0783
250:¥193.2526
参考库存:3421
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
1:¥507.5282
10:¥477.6397
25:¥462.6559
50:¥447.7512
参考库存:3355
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:16812
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